荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)

脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)

產(chǎn)品描述：荷蘭TSST公司提供專業(yè)的脈沖激光沉積系統(tǒng)和激光分子束外延系統(tǒng)。

荷蘭Twente Solid State Technology BV（TSST）公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD），以及相關(guān)薄膜制備解決方案，公司具有20多年研究與生產(chǎn)脈沖激光沉積系統(tǒng)的經(jīng)驗(yàn)。

TSST與大的納米與微系統(tǒng)技術(shù)研究中心之一荷蘭Twente大學(xué)MESA+ Institute保持著密切合作，開(kāi)發(fā)出各種脈沖激光沉積技術(shù)中需要使用的核心技術(shù)。

脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對(duì)靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來(lái)，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE），是在PLD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的外延薄膜生長(zhǎng)技術(shù)。

在高氧氣壓力環(huán)境下實(shí)現(xiàn)RHEED原位監(jiān)控，曾是RHEED分析的一個(gè)重要難題，TSST個(gè)提出差分抽氣的方式實(shí)現(xiàn)高壓環(huán)境下RHEED原位監(jiān)控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的發(fā)明人，在系統(tǒng)制造和RHEED的使用，以及結(jié)果分析方面，有豐富的經(jīng)驗(yàn)。

選件

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應(yīng)用領(lǐng)域：

單晶薄膜外延（SrTiO₃，LaAlO₃）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO₃，BaTiO₃）

鐵電薄膜（BaTiO₃，KH₂PO₄）

熱電薄膜（SrTiO₃）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO₃，LaNiO₃，YZrO₂，GdCeO₂，LaSrCoFeO₃）

半導(dǎo)體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO₃）

高K介質(zhì)薄膜（HfO₂，CeO₂，Al2O₃，BaTiO₃，SrTiO₃，PbZrTiO₃，LaAlO₃，Ta₂O₅）

超導(dǎo)薄膜（YBa₂CuO_7-x，BiSrCaCuO）

光波導(dǎo)，光學(xué)薄膜（PZT，AlN，BaTiO₃，Al₂O₃，ZrO₂，TiO₂）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測(cè)薄膜（V₂O₅，PZT）