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微波高溫鐘罩窯

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更新時間:2021-04-06 18:18:00瀏覽次數(shù):354

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產品簡介

詳細介紹: 高溫燒結實驗爐被加工物料一致性好、高效節(jié)能、安全潔凈等諸多特點,智能高溫燒結實驗爐并且優(yōu)良的性能與外觀可改善實驗室環(huán)境和提升實驗室形象,實驗用微波高溫燒結爐可適用于學校、企業(yè)等科研單位實驗室的各種氣氛條件下的材料合成與燒結。

詳細介紹

微波高溫鐘罩窯
詳細介紹:

高溫燒結實驗爐被加工物料一致性好、高效節(jié)能、安全潔凈等諸多特點,智能高溫燒結實驗爐并且優(yōu)良的性能與外觀可改善實驗室環(huán)境和提升實驗室形象,實驗用微波高溫燒結爐可適用于學校、企業(yè)等科研單位實驗室的各種氣氛條件下的材料合成與燒結。

1、概述

微波高溫鐘罩窯實驗裝備主要應用于保護氣氛或弱還原氣氛下大批量制作的燒成,本設備可抽真空、可通入保護氣氛或弱還原氣氛。由于微波 的催化和非熱效應,有利于產品的固相擴散,*終產品的致密度及機械性能明顯高于常規(guī)燒結產品。該設備較傳統(tǒng)加熱設備結構簡單、日處理量大、設備占地面積小、生產效率高、產品品質好、節(jié)能達40%以上。

2、結構組成

微波高溫鐘罩窯實驗裝備主要由微波爐腔、保溫系統(tǒng)、微波饋能系統(tǒng)、升降機機構、水冷系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣氛控制系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、電控系統(tǒng)等組成。

3、主要技術參數(shù)

1、電 源: 380±10V/50Hz;

2、微波發(fā)生器技術參數(shù):12Kw連續(xù)可調;滿足8KG物料達到15℃/min;

3、微波頻率: 2.45GHz±25MHz;

4、單臺磁控管輸出功率:1.5Kw;

5、磁控管:正常使用壽命5000小時以上;實時顯示磁控管的運行狀態(tài);微波源匹配環(huán)形器和水負載;

6、工作溫度不得高于:1700℃;

7、工常工作溫度:1600℃

8、加熱方式: 微波加熱

9、測溫方式:雷泰紅外測溫,輔助熱電偶校準;溫度全程 顯示可控;

10、控溫方式:觸摸屏及溫控儀,可設定溫度曲線;帶手動,自動雙重操作;自帶USB接口;可設多條溫控曲線;有斷電續(xù)熱功能。

11、爐溫均勻性:±5℃(1300℃);

12、控溫方式: ±2℃;

13、靜態(tài)真空度:100pa;

14、可通氣氛:真空、惰性氣體、弱氧化氣體;

15、充氣流量調節(jié)范圍: 0.5~10L/min(要求質量流量計控制);

16、有效裝料空間: Φ250*300mm;

17、爐膛承重: >50kg;

18、微波泄漏強度:<5mW/cm2

19、冷卻循環(huán)水: 流量≥3m3/h;壓力≥0.1MPa循環(huán)冷卻水進水溫度:5~30℃;循環(huán)冷卻水總硬度:<60mg/L(可用自來水替代);廠家配套冷卻循環(huán)水機;

20、保溫系統(tǒng): 匣缽材質*使用溫度>1650℃;保溫材料為微波;*使用溫度>1600℃。

21、爐型結構:采用自動升降機構;

4、性能特點:

1、間歇式快速燒成,滿足靈活或多批次小批量高附加值材料的生產需求,實現(xiàn)高真空或更精細氣氛條件(空氣、氧氣、氮氣、惰性氣體、弱還原性氣體等)下燒結;

2、高效微波傳輸系統(tǒng),對物料進行均勻饋能;同時采用的數(shù)理模型,結合加熱工藝要求進行科學的腔體設計,使微波能與物料達成藕合,以確保物料溫度場均勻穩(wěn)定,微波利用效率高;

3、微波加熱功率可調,物料溫度場均勻穩(wěn)定,實現(xiàn)精準溫控曲線;

4、安全可靠的微波屏蔽設計,確保微波泄漏量<1mw/cm2,遠優(yōu)于國家標準;

5、與常規(guī)鐘罩爐相比,具顯著“、高效、節(jié)能、環(huán)保"的特點:

① 燒成產品一致性好,不變形不開裂,晶粒細小,致密度高,整體品質顯著提升;

② 工藝周期大幅縮短,生產效率成倍提高,更適應夜晚低電價時段生產;

③ 相比傳統(tǒng)窯爐節(jié)能達40%以上;

④ 自動化程度高,安全、衛(wèi)生、舒適,維護維修簡便,性價比高。

6、極限真空度:<100pa;

7、材料燒成溫度不得高于:1650℃;

8、觸摸屏顯示、控制,具自動、手動雙重操作功能;

9、采用高精度紅外及熱電偶測溫儀、氧分壓測量儀、微壓計等,對窯爐內部的溫度、氧分壓總氣壓等參數(shù)進行測定,并實現(xiàn)全程精準控制;

5、適用范圍

1、高純氧化鋁

2、微波鐵氧體、高磁導體、錳鋅鐵氧體、合金磁性材料燒成

3、粉末冶金、硬質合金制品燒成;

4、高溫陶瓷材料燒成:Si3N4、反應燒結SiC 、氧化鋯等;


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