廈門(mén)市三相電能質(zhì)量測(cè)試儀品質(zhì)保障

應(yīng)用領(lǐng)域
      1.HDPQ-60可廣泛地應(yīng)用于輸配電、電力電子、電機(jī)拖動(dòng)等領(lǐng)域。
      2.測(cè)量分析公用電網(wǎng)供到用戶(hù)端的交流電能質(zhì)量。
      3.應(yīng)用小波變換測(cè)量分析非平穩(wěn)時(shí)變信號(hào)的諧波。
      4.測(cè)量分析各種用電設(shè)備在不同運(yùn)行狀態(tài)下對(duì)公用電網(wǎng)電能質(zhì)量。 
二.儀器特點(diǎn)
      1.安全可靠
         電壓輸入采用高電壓隔離模塊(2000V、響應(yīng)時(shí)間≤2μS，電流輸入采用交電流鉗(0～50KHz,0～5Arms)使輸入信號(hào)和測(cè)量系統(tǒng)安全隔離。這樣不僅使HDPQ-60在使用上安全、可靠和方便，而且大大提高了HDPQ-60的抗*力。
    2.使用方便
         便攜式結(jié)構(gòu)，尺寸小、重量輕、一個(gè)人即可攜帶儀器到現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試；內(nèi)置高性能鋰電池，在無(wú)外接電源的情況下可連續(xù)工作8小時(shí)。
    3.精度高
       符合國(guó)標(biāo)B級(jí)儀器要求。對(duì)諧波、三相不平衡度均采用基準(zhǔn)算法，無(wú)近似計(jì)算，采用高精度A/D（16 位），同時(shí)采樣，采集速率12.8 kHz。
    4.軟件功能強(qiáng)
      采用DSP+ARM+CPLD 內(nèi)核，處理速度快，軟件功能豐富，使HDPQ-60適用于復(fù)雜的測(cè)試工作和數(shù)據(jù)處理工作，大大提高了測(cè)試效率和水平。
    5.測(cè)試參數(shù)多
      系統(tǒng)頻率、電網(wǎng)諧波、三相電壓不平衡度、電壓偏差、電壓基波有效值和真有效值、電流基波有效值和真有效值、有功功率、無(wú)功功率、視在功率、2-50次諧波、真功率因數(shù)等全部電能質(zhì)量五大國(guó)標(biāo)規(guī)定的參數(shù)。
    6.USB接口保存數(shù)據(jù)
        提供USB接口，便于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到U盤(pán)、與筆記本電腦進(jìn)行通訊傳輸數(shù)據(jù)。
    7.諧波判斷
       實(shí)時(shí)判斷當(dāng)前測(cè)試的電壓諧波、電流諧波數(shù)據(jù)正?；虺瑯?biāo)。
    8.后臺(tái)管理分析軟件
       電能質(zhì)量管理分析軟件是一套電能質(zhì)量的后臺(tái)管理分析軟件，運(yùn)行于WIN9X/2000/XP/NT 操作系統(tǒng)。詳細(xì)介紹參照軟件使用說(shuō)明書(shū)。
    9.時(shí)實(shí)打印
       配置微型熱敏打印機(jī)，能夠隨時(shí)打印現(xiàn)場(chǎng)實(shí)時(shí)測(cè)試數(shù)據(jù)。
三．技術(shù)指標(biāo)
    1.頻率測(cè)量
    2.測(cè)量范圍：45～55Hz，中心頻率50Hz，測(cè)量條件：信號(hào)基波分量不小于80％F.S.
    3.測(cè)量誤差: ≤0.02Hz
    4.輸入電壓量程：10V-900V
    5.輸入電流量程：5A，其他量程可以根據(jù)用戶(hù)要求選配
    6.基波電壓和電流幅值：基波電壓允許誤差≤0.5％F.S.；基波電流允許誤差≤1％F.S.
    7.基波電壓和電流之間相位差的測(cè)量誤差：≤0.5°
    8.諧波電壓含有率測(cè)量誤差：≤0.1％
    9.諧波電流含有率測(cè)量誤差：≤0.2％
    10.三相電壓不平衡度誤差：≤0.2％
    11.電壓偏差誤差：≤0.2％
    12.功率偏差：≤0.5％
    13.工作時(shí)間：內(nèi)部電池可以連續(xù)工作8小時(shí)
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②式可以看出總tgδ= 0.5 %                （合格），可見(jiàn)明顯形成了誤判斷。

設(shè)備的選取及常規(guī)試驗(yàn)方法：因?yàn)榫群挽`敏度的原因，測(cè)變壓器和一般套管的介損時(shí)（包括電容式CT），應(yīng)采用HD6000A光導(dǎo)介損測(cè)試儀，而當(dāng)測(cè)試電容式PT電容量和tgδ時(shí)，可采用HD6000異頻介損測(cè)試儀，它介紹了CVT的中壓電容C ₂ 的測(cè)試方法，比較方便（自激法）。兩者的原理前者是通過(guò)比較內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差，后者是電橋原理，離散傅立葉算法。一般接線形式主要有二種：正接法：適用于測(cè)量?jī)上鄬?duì)地絕緣的設(shè)備，測(cè)試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；反接法：適用于測(cè)量一級(jí)接地的設(shè)備，儀器的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法，對(duì)角接線等，不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。

需要說(shuō)明的是現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)時(shí)要?jiǎng)?chuàng)造條件，力求測(cè)試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測(cè)試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測(cè)試平臺(tái)，以達(dá)到兩極絕緣的條件。

對(duì)于CVT中壓電容的tgδ測(cè)試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序，按照其說(shuō)明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。

交接規(guī)程的一般要求及條款：電力變壓器：當(dāng)電壓等級(jí)為35KV及以上，且容量在8000KVA以上時(shí)，應(yīng)測(cè)試tgδ，其tgδ值不應(yīng)大于產(chǎn)品出廠試驗(yàn)值的130%，對(duì)于300MW或600MW機(jī)組的廠高變，一般未達(dá)到上述要求，交接試驗(yàn)可不作；但一般廠家出廠試驗(yàn)均有該項(xiàng)目的數(shù)據(jù)，為充分體現(xiàn)對(duì)用戶(hù)負(fù)責(zé)的思想，建議測(cè)試以便比較，但不出試驗(yàn)報(bào)告。互感器：規(guī)定了20℃下電流互感器（油紙電容式）的tgδ，220KV≤0.6%，330KV≤0.5，500KV≤0.5。其電容與銘牌差值應(yīng)在±10%之內(nèi)，只針對(duì)主絕緣。而電壓互感器只規(guī)定了35KV及以上油浸式的tgδ值，35KV的20℃時(shí)≤3.5%，35KV以上的不應(yīng)大于出廠值的130%。套管：現(xiàn)場(chǎng)一般有油紙電容式，20-500KV下，tgδ≤0.7%，電容差值在±10%范圍內(nèi)。說(shuō)明一點(diǎn)，不管電容式CT還是電容式套管，都會(huì)有末屏，應(yīng)在測(cè)主絕緣tgδ之前進(jìn)行末屏的測(cè)絕緣，用2500V搖表，應(yīng)大于1000MΩ，有的出廠試驗(yàn)也有末屏tgδ值，因此絕緣達(dá)不到要求時(shí)，應(yīng)測(cè)tgδ以便比較，但是試驗(yàn)電壓應(yīng)控制在2KV。

另外，tgδ值都規(guī)定了相應(yīng)的溫度值，是因?yàn)闇囟葘?duì)tgδ值的影響較大，一般隨著溫度上升，tgδ值也增大，因此規(guī)定了溫度換算，一般應(yīng)校正到20℃時(shí)進(jìn)行與廠家試驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較，換算公式為：

1. 1. 環(huán)境溫度高于20℃時(shí)，tgδ₂₀ = tgδ_t / A
   2. 環(huán)境溫度低于20℃時(shí)，tgδ₂₀ = tgδ_t * A

A：與20℃溫差值不同的換算系數(shù)，見(jiàn)規(guī)程。

一般操作步驟和注意事項(xiàng)：按常規(guī)的HD6000的操作規(guī)程與相應(yīng)的作業(yè)指導(dǎo)書(shū)相關(guān)條款進(jìn)行操作。試驗(yàn)應(yīng)良好的天氣、環(huán)境溫度不低于5℃和濕度不大于80%的條件下進(jìn)行，測(cè)試前應(yīng)測(cè)量被試品各電極間的絕緣電阻，必要時(shí)對(duì)小套管進(jìn)行清潔和干燥處理。

接地必須牢靠，符合“安規(guī)”中高壓試廈門(mén)市三相電能質(zhì)量測(cè)試儀品質(zhì)保障廈門(mén)市三相電能質(zhì)量測(cè)試儀品質(zhì)保障驗(yàn)的條款規(guī)定，正接法時(shí)低壓側(cè)的引線也應(yīng)有絕緣要求，不得與外殼接觸。

對(duì)于試驗(yàn)電壓的大小，前面提到P = U² ωC tgδ，P與電壓有關(guān)，良好絕緣的tgδ不會(huì)隨電壓的升高而明顯增加，但若有內(nèi)部缺陷時(shí)則tgδ會(huì)隨電壓的升高而明顯增加。因此對(duì)于試驗(yàn)電壓一般為10KV，但對(duì)