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技術(shù)文章

半導(dǎo)體chiller制造商介紹薄膜沉積工藝有哪些類型?

發(fā)布時(shí)間:2025-3-19

  薄膜沉積工藝是半導(dǎo)體、光學(xué)、電子等領(lǐng)域中用于在基底材料上形成薄膜的技術(shù)。以下是一些主要的薄膜沉積工藝類型:

  物理氣相沉積(PVD):

  包括真空蒸鍍、濺射鍍膜和離子鍍等方法。PVD是一種基于物理過(guò)程的薄膜沉積技術(shù),通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射等方式使材料氣化,然后在基板上冷凝形成薄膜。

  化學(xué)氣相沉積(CVD):

  利用含有薄膜元素的反應(yīng)氣體在基底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)薄膜并釋放副產(chǎn)物氣體。CVD可以生長(zhǎng)各種材料的薄膜,如硅、金屬和陶瓷等。


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  原子層沉積(ALD):

  是CVD的一種特殊形式,通過(guò)交替引入不同的化學(xué)氣體實(shí)現(xiàn)單原子層的準(zhǔn)確控制,從而實(shí)現(xiàn)薄膜的逐層生長(zhǎng)。

  電化學(xué)沉積(ECD)或電鍍:

  利用電解原理在導(dǎo)電基底上沉積薄膜。電鍍液中的金屬離子在電流作用下還原并在沉積成薄膜。

  溶膠-凝膠法:

  通過(guò)溶膠-凝膠過(guò)程制備薄膜,涉及將無(wú)機(jī)化合物的溶液轉(zhuǎn)化為溶膠,然后轉(zhuǎn)化為凝膠,通過(guò)干燥和熱處理形成薄膜。

  分子束外延(MBE):

  在高真空中通過(guò)準(zhǔn)確控制來(lái)自分子束的原子或分子在單晶基底上的沉積速率和排列,實(shí)現(xiàn)單原子層精度的外延生長(zhǎng)。

  熱蒸發(fā)沉積:

  通過(guò)加熱材料使其蒸發(fā)并在基底上凝結(jié)形成薄膜,常用于金屬和某些有機(jī)材料的沉積。

  磁控濺射:

  是一種PVD技術(shù),利用磁場(chǎng)控制等離子體中的離子轟擊靶材,使靶材原子或分子被濺射出來(lái)并在基底上形成薄膜。

  等離子增強(qiáng)CVD(PECVD):

  在CVD過(guò)程中引入等離子體來(lái)促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),可以在較低溫度下生長(zhǎng)薄膜,適用于對(duì)熱敏感的材料。

  激光沉積:

  使用激光作為熱源來(lái)蒸發(fā)材料或激活化學(xué)反應(yīng),用于在基底上沉積薄膜。

這些技術(shù)各有特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),適用于不同的材料和應(yīng)用場(chǎng)景。選擇合適的沉積工藝取決于所需的薄膜材料、性能、成本和設(shè)備等因素。半導(dǎo)體制造中通常會(huì)根據(jù)具體的應(yīng)用需求選擇合適的薄膜沉積技術(shù)。


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